پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی حافظه فلش >
MT54V1MH18EF-7.5
  • MT54V1MH18EF-7.5
MT54V1MH18EF-7.5

MT54V1MH18EF-7.5

جزئیات محصول
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه
اندازه حافظه:
18 مگابیت
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
عمده
سری:
QDR®
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
HSTL
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
165-FBGA (13x15)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Micron Technology Inc.
فرکانس ساعت:
133 مگاهرتز
ولتاژ - عرضه:
2.4 ولت ~ 2.6 ولت
بسته بندی / کیس:
165-TBGA
سازمان حافظه:
1M x 18
دمای کار:
0°C ~ 70°C (TA)
تکنولوژی:
SRAM - همزمان
زمان دسترسی:
3 ns
فرمت حافظه:
SRAM
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA
توضیحات محصول
SRAM - حافظه همزمان IC 18Mbit HSTL 133 MHz 3 ns 165-FBGA (13x15)

برچسب ها:

تراشه آی سی حافظه فلش,

تراشه مدار مجتمع,

تراشه های حافظه

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید