پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی حافظه فلش >
71V016SA10YG
  • 71V016SA10YG
71V016SA10YG

71V016SA10YG

جزئیات محصول
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
عمده
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
10 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
44-SOJ
نوع حافظه:
فرار
مفر:
IDT، شرکت فناوری دستگاه یکپارچه
اندازه حافظه:
1 مگابیت
ولتاژ - عرضه:
3.15 ~ 3.6 ولت
زمان دسترسی:
10 nS
بسته بندی / کیس:
44-BSOJ (عرض 0.400، 10.16 میلی متر)
سازمان حافظه:
64 هزار در 16
دمای کار:
0°C ~ 70°C (TA)
تکنولوژی:
SRAM - ناهمزمان
شماره محصول پایه:
71V016
فرمت حافظه:
SRAM
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
آی سی SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
توضیحات محصول
SRAM - حافظه ی اسینکرون IC 1Mbit Parallel 10 ns 44-SOJ

برچسب ها:

تراشه آی سی حافظه فلش,

تراشه مدار مجتمع,

تراشه های حافظه

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید