logo
پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی حافظه فلش >
IS42RM32800E-6BLI-TR
  • IS42RM32800E-6BLI-TR
IS42RM32800E-6BLI-TR

IS42RM32800E-6BLI-TR

جزئیات محصول
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه
اندازه حافظه:
256 مگابیت
وضعیت محصول:
برای طرح های جدید نیست
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
90-TFBGA (8x13)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
ISSI، یکپارچه راه حل سیلیکون شرکت
فرکانس ساعت:
166 مگاهرتز
ولتاژ - عرضه:
2.3 ولت ~ 3 ولت
زمان دسترسی:
5.5 ns
بسته بندی / کیس:
90-TFBGA
سازمان حافظه:
8M x 32
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
SDRAM - موبایل
شماره محصول پایه:
IS42RM32800
فرمت حافظه:
DRAM
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
توضیحات محصول
SDRAM - حافظه موبایل IC 256Mbit موازی 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA (8x13)

برچسب ها:

تراشه آی سی حافظه فلش,

تراشه مدار مجتمع,

تراشه های حافظه

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید