پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی حافظه فلش >
W97AH6NBVA2E TR
  • W97AH6NBVA2E TR
W97AH6NBVA2E TR

W97AH6NBVA2E TR

جزئیات محصول
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه
اندازه حافظه:
1 گیگابیت
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
HSUL_12
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
15 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
134-VFBGA (10x11.5)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Winbond Electronics
فرکانس ساعت:
۴۰۰ مگاهرتز
ولتاژ - عرضه:
1.14 ولت ~ 1.3 ولت، 1.7 ولت ~ 1.95 ولت
بسته بندی / کیس:
134-VFBGA
سازمان حافظه:
64 متر در 16
دمای کار:
-25 درجه سانتی گراد ~ 85 درجه سانتی گراد (TC)
تکنولوژی:
SDRAM - موبایل LPDDR2-S4B
شماره محصول پایه:
W97AH6
فرمت حافظه:
DRAM
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
توضیحات محصول
SDRAM - حافظه موبایل LPDDR2-S4B IC 1Gbit HSUL_12 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)

برچسب ها:

تراشه آی سی حافظه فلش,

تراشه مدار مجتمع,

تراشه های حافظه

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید