پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی حافظه فلش >
AS7C325632-10BIN
  • AS7C325632-10BIN
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

جزئیات محصول
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
سینی
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
10 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
90-TFBGA (8x13)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Alliance Memory, Inc.
اندازه حافظه:
8 مگابیت
ولتاژ - عرضه:
2.7V ~ 3.6V
زمان دسترسی:
10 nS
بسته بندی / کیس:
90-TFBGA
سازمان حافظه:
1M x 8
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
SRAM - ناهمزمان
شماره محصول پایه:
AS7C325632
فرمت حافظه:
SRAM
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
آی سی SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA
توضیحات محصول
SRAM - حافظه غیرمستقیم IC 8Mbit موازی 10 ns 90-TFBGA (8x13)

برچسب ها:

تراشه آی سی حافظه فلش,

تراشه مدار مجتمع,

تراشه های حافظه

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید