پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
DDB2U30N08VRBOMA1
  • DDB2U30N08VRBOMA1
DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
25 A
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
پایه شاسی
بسته بندی:
عمده
سری:
-
بسته بندی / کیس:
مدول
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
2.55 ولت @ 15 ولت، 20 آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
600 V
بسته دستگاه تامین کننده:
مدول
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 125 درجه سانتی گراد
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
1 میلی آمپر
نوع IGBT:
-
قدرت - حداکثر:
83.5 وات
ورودی:
استاندارد
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
880 pF @ 25 V
پیکربندی:
3 مستقل
ترمیستور NTC:
آره
شماره محصول پایه:
DDB2U30
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
IGBT MOD 600V 25A 83.5W
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
ماژول IGBT 3 ماژول مستقل 600 V 25 A 83.5 W

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید