پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
NXH100B120H3Q0SG
  • NXH100B120H3Q0SG
NXH100B120H3Q0SG

NXH100B120H3Q0SG

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
61 الف
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
پایه شاسی
بسته بندی:
سینی
سری:
-
بسته بندی / کیس:
مدول
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
2.3 ولت @ 15 ولت، 50 آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
1200 V
بسته دستگاه تامین کننده:
22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
مفر:
نصف
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
200 میکروآمپر
نوع IGBT:
توقف میدان سنگر
قدرت - حداکثر:
186 W
ورودی:
استاندارد
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
پیکربندی:
2 مستقل
ترمیستور NTC:
نه
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
IGBT ماژول Trench Field Stop 2 مستقل 1200 V 61 A 186 W شاسی نصب 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید