پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
BG3123E6327HTSA1
  • BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - نامی:
8 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
پیکربندی:
2 کانال N (دوگانه)
سری:
-
شکل سر و صدا:
1.8 دسی بل
بسته دستگاه تامین کننده:
PG-SOT363-PO
ولتاژ - تست:
5 V
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
فرکانس:
800 مگاهرتز
کسب کردن:
25 دسی بل
بسته بندی / کیس:
6-VSSOP، SC-88، SOT-363
فعلی - تست:
14 میلی آمپر
توان خروجی:
-
فن آوری:
ماسفت
رتبه فعلی (آمپر):
25 میلی آمپر، 20 میلی آمپر
شماره محصول پایه:
BG3123
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
RF Mosfet 5 V 14 mA 800MHz 25dB PG-SOT363-PO

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید