logo
پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
NE3515S02-A
  • NE3515S02-A
NE3515S02-A

NE3515S02-A

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
ولتاژ - نامی:
4 V
بسته بندی:
عمده
سری:
-
شکل سر و صدا:
0.3dB
بسته دستگاه تامین کننده:
S02
ولتاژ - تست:
2 V
مفر:
CEL
فرکانس:
12 گیگاهرتز
کسب کردن:
12.5 دسی بل
بسته بندی / کیس:
4-SMD، سرنخ های مسطح
فعلی - تست:
10 میلی آمپر
توان خروجی:
14dBm
فن آوری:
GaAs HJ-FET
رتبه فعلی (آمپر):
88 میلی آمپر
شماره محصول پایه:
NE3515
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید