logo
پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
0912GN-650V
  • 0912GN-650V
0912GN-650V

0912GN-650V

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - نامی:
150 ولت
بسته بندی:
عمده
سری:
V
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
55-KR
ولتاژ - تست:
50 ولت
مفر:
فناوری ریزتراشه
فرکانس:
960 مگاهرتز ~ 1.215 گیگاهرتز
کسب کردن:
18 دسی بل
بسته بندی / کیس:
55-KR
فعلی - تست:
100 میلی آمپر
توان خروجی:
650 وات
فن آوری:
HEMT
رتبه فعلی (آمپر):
-
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
TRAN، GAN، 960-1215 مگاهرتز، 650 وات، 5
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
RF Mosfet 50 V 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 18dB 650W 55-KR

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید