logo
پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
RN2113MFV،L3F
  • RN2113MFV،L3F
RN2113MFV،L3F

RN2113MFV،L3F

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورهای دوقطبی (BJT) ترانزیستورهای دوقطبی تک، پیش بایاس
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
100 میلی آمپر
وضعیت محصول:
فعال
نوع ترانزیستور:
PNP - Pre-Biased
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel®
سری:
-
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic:
300mV @ 500μA, 5mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
50 ولت
بسته دستگاه تامین کننده:
VESM
مقاومت - پایه (R1):
47 کیلو اهم
مفر:
نیمه هادی و ذخیره سازی توشیبا
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
100nA (ICBO)
قدرت - حداکثر:
150 مگاوات
بسته بندی / کیس:
SOT-723
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce:
120 @ 1 میلی آمپر، 5 ولت
شماره محصول پایه:
RN2113
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
ترانزیستور دوقطبی پیش محور (BJT) PNP - VESM سطح 50 V 100 mA 150 mW پیش محور

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید