logo
پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
NSBC114TF3T5G
  • NSBC114TF3T5G
NSBC114TF3T5G

NSBC114TF3T5G

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورهای دوقطبی (BJT) ترانزیستورهای دوقطبی تک، پیش بایاس
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
100 میلی آمپر
وضعیت محصول:
فعال
نوع ترانزیستور:
NPN - Pre-Biased
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic:
250 میلی ولت @ 1 میلی آمپر، 10 میلی آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
50 ولت
بسته دستگاه تامین کننده:
SOT-1123
مقاومت - پایه (R1):
10 کیلو اهم
مفر:
نصف
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
500 نانوآمپر
قدرت - حداکثر:
254 مگاوات
بسته بندی / کیس:
SOT-1123
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce:
160 @ 5 میلی آمپر، 10 ولت
شماره محصول پایه:
NSBC114
شرایط پرداخت و حمل و نقل
موجودی
در انبار
روش حمل و نقل
LCL، AIR، FCL، Express
توضیحات
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
شرایط پرداخت
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
توضیحات محصول
ترانزیستور دوقطبی پیش محور (BJT) NPN - پیش محور 50 V 100 mA 254 mW سطح نصب SOT-1123

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید