پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
F3L200R07W2S5FB11BOMA1
  • F3L200R07W2S5FB11BOMA1
F3L200R07W2S5FB11BOMA1

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
95 الف
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
پایه شاسی
بسته بندی:
سینی
سری:
EasyPACK™، TRENCHSTOP™
بسته بندی / کیس:
مدول
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
1.38 ولت @ 15 ولت، 100 آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
650 V
بسته دستگاه تامین کننده:
AG-EASY2B
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
1 میلی آمپر
نوع IGBT:
توقف میدان سنگر
قدرت - حداکثر:
20 مگاوات
ورودی:
استاندارد
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
14.3 nF @ 25 V
پیکربندی:
اینورتر سه سطحی
ترمیستور NTC:
آره
شماره محصول پایه:
F3L200
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
ماژول IGBT کم مصرف آسان
توضیحات محصول
IGBT ماژول خندق میدان توقف سه سطح اینورتر 650 V 95 A 20 mW شاسی نصب AG-EASY2B

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید