پیام فرستادن
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
پست الکترونیک ice@tsdatech.com تلفن: 86--13825240555
صفحه اصلی > محصولات > تراشه آی سی ترانزیستور >
FS660R08A6P2FBBPSA1
  • FS660R08A6P2FBBPSA1
FS660R08A6P2FBBPSA1

FS660R08A6P2FBBPSA1

جزئیات محصول
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
450 A
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
پایه شاسی
بسته بندی:
سینی
سری:
HybridPACK™
بسته بندی / کیس:
مدول
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
1.35 ولت @ 15 ولت، 450 آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
750 ولت
بسته دستگاه تامین کننده:
AG-HYBRIDD-1
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
1 میلی آمپر
نوع IGBT:
توقف میدان سنگر
قدرت - حداکثر:
1053 W
ورودی:
استاندارد
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
80 nF @ 50 V
پیکربندی:
اینورتر سه فاز
ترمیستور NTC:
آره
شماره محصول پایه:
FS660R08
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات
HYBRID PACK DRIVE
توضیحات محصول
IGBT ماژول خندق میدان توقف سه فاز اینورتر 750 ولت 450 A 1053 W شاسی نصب AG-هایبرید-1

برچسب ها:

تراشه آی سی ترانزیستور,

تراشه جاسازی شده,

تراشه جاسازی شده SMD

محصولات پیشنهادی

در هر زمان با ما تماس بگیرید

86--13825240555
609 شماره 4018، جاده بائوان، خیابان شیشیانگ، منطقه بائوان، شنژن، گوانگدونگ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
درخواست خود را مستقیماً برای ما ارسال کنید